在電子設(shè)備廣泛應(yīng)用于各類(lèi)復(fù)雜環(huán)境的背景下，電子元器件的鹽霧防護(hù)性能成為決定設(shè)備可靠性的關(guān)鍵因素。鹽霧環(huán)境中的氯離子會(huì)加速金屬氧化、腐蝕電路板，導(dǎo)致短路、信號(hào)傳輸異常等故障。通過(guò)鹽霧試驗(yàn)箱模擬嚴(yán)苛環(huán)境，依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試元器件防護(hù)能力，對(duì)保障電子設(shè)備質(zhì)量至關(guān)重要。 一、核心測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)解析
電子元器件鹽霧測(cè)試需嚴(yán)格遵循國(guó)際與國(guó)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)。國(guó)際上，ISO 9227 規(guī)定中性鹽霧（NSS）、醋酸鹽霧（AASS）等試驗(yàn)方法，明確鹽溶液濃度、溫度及測(cè)試周期要求；美軍標(biāo) MIL-STD-810G 針對(duì)電子設(shè)備，增加交變鹽霧測(cè)試，模擬實(shí)際服役中的溫濕度波動(dòng)與鹽霧交替環(huán)境。國(guó)內(nèi) GB/T 2423.17 等同采用 IEC 60068-2-11 標(biāo)準(zhǔn)，適用于民用電子元器件，規(guī)定在 35℃、5% 氯化鈉溶液下進(jìn)行連續(xù)噴霧測(cè)試，通過(guò)腐蝕面積、絕緣電阻變化判定防護(hù)等級(jí)。
二、試驗(yàn)箱測(cè)試流程與要點(diǎn)
測(cè)試前，需將電子元器件按實(shí)際裝配方式固定于試驗(yàn)箱內(nèi)，避免因擺放不當(dāng)影響結(jié)果。開(kāi)啟設(shè)備后，嚴(yán)格控制鹽霧沉降量（1 - 2mL/80cm2?h）、箱內(nèi)溫度（35℃±2℃）與相對(duì)濕度（95% 以上），確保模擬環(huán)境真實(shí)。測(cè)試周期根據(jù)元器件應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)定，如消費(fèi)電子至少 24 小時(shí)，戶(hù)外通信設(shè)備需 72 - 144 小時(shí)。測(cè)試結(jié)束后，通過(guò)外觀(guān)檢查、金相顯微鏡分析、電氣性能檢測(cè)，評(píng)估元器件的耐腐蝕能力。
三、典型應(yīng)用案例
某品牌戶(hù)外路由器在研發(fā)階段，對(duì)核心電路板、金屬接插件進(jìn)行鹽霧測(cè)試。按 GB/T 2423.17 標(biāo)準(zhǔn)連續(xù)噴霧 48 小時(shí)后，發(fā)現(xiàn)金屬接口出現(xiàn)點(diǎn)蝕，導(dǎo)致信號(hào)傳輸中斷。經(jīng)分析，接口處未做鈍化處理，防護(hù)涂層厚度不足。優(yōu)化工藝后，增加化學(xué)鈍化層并提升涂層厚度至 8μm，再次測(cè)試通過(guò)，該路由器成功應(yīng)用于沿海地區(qū)基站。
綜上，掌握鹽霧試驗(yàn)箱測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，結(jié)合實(shí)際案例優(yōu)化防護(hù)方案，是提升電子元器件可靠性的重要途徑。隨著電子設(shè)備應(yīng)用場(chǎng)景不斷拓展，鹽霧防護(hù)測(cè)試將在保障產(chǎn)品質(zhì)量中發(fā)揮更關(guān)鍵作用。 
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更新時(shí)間：2025-06-02 
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